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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,473 € |
500+ | 0,332 € |
1000+ | 0,237 € |
5000+ | 0,207 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The FDT86102LZ is an advanced N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management and switching applications. Featuring ultra-low R��������(��������) and a high current-handling capability, it delivers exceptional energy efficiency and minimal power loss, even in demanding applications. Its logic-level gate drive enables easy integration with low-voltage control circuits. The FDT86102LZ is ideal for use in DC-DC converters, synchronous rectification, battery management systems, motor drivers, and LED drivers. Encased in a thermally efficient PowerTrench® package, it ensures superior heat dissipation and reliability, making it a versatile choice for automotive, industrial, and consumer electronics requiring compact and energy-efficient solutions.
- VDS (V) =100V
- ID =-6.6A (VGS =±20V)
- RDS(ON) = 28mΩ (VGS =10V)
- RDS(ON) = 38mΩ (VGS =4.5V)
Anwendungen
DC/DC-Wandler, Netzteile, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung, HF-Kommunikation, Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
n-Kanal
6.6A
SOT-223
10V
2.2W
150°C
-
100V
0.028ohm
Oberflächenmontage
3V
4Pin(s)
Multicomp Pro Power MOSFETs
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat