MTA9ASF1G72HZ-3G2R1

Das MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 ist ein schnelles DDR4-SDRAM-Modul, dessen 8n-Prefetch-Architektur viele Vorzüge bietet. Die Schnittstelle des Moduls ist für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins ausgelegt. Ein einfacher Lese- bzw. Schreibvorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer 8n-Bit-breiten, vier Taktzyklen langen Datenübertragung am internen DRAM-Core und acht entsprechenden n-Bit-breiten, einen halben Taktzyklus langen Datenübertragungen an den I/O-Pins. DDR4-Module verwenden zwei differentielle Signalsätze: DQS_t und DQS_c für die Datenaufzeichnung und CK_t und CK_c für die Aufzeichnung von Befehlen, Adressen und Steuersignalen. Differentielle Taktgeber und Daten-Strobes sorgen für eine herausragende Rauschfestigkeit dieser Signale und gewährleisten präzise Übergangspunkte beim Aufzeichnen von Eingangssignalen.

• Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur
• Nominelle und dynamische On-Die-Termination (ODT) für Data-, Strobe- und Mask-Signale
• Energiesparender, automatischer Self-Refresh (LPASR); Datenbus-Inversion (DBI) für Datenbus
• On-Die-Erzeugung und -Kalibrierung der VREFDQ; Single-Rank-Modul mit 16 internen Speicherbänken (4 Gruppen à 4 Bänke)
• Boardinterner I2C-Temperatursensor mit integriertem seriellem Presence-Detect-EEPROM (SPD)
• Fester Burst-Chop (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über das Mode-Register-Set (MRS)
• BC4 oder BL8 ohne Vorbereitung wählbar (On-the-Fly, OTF); Kantenkontakte aus Gold; Fly-by-Topologie
• Terminierter Steuer-, Befehls- und Adressbus
• 8GB Speicherdichte; 1Gig x 72 Konfiguration; 25.6GB/s Modul-Bandbreite
• 260-poliges DIMM-Gehäuse; kommerzieller Betriebstemperaturbereich: 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C