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MUBW30-12A6K
IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 50,600 € |
| 5+ | 49,590 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
50,60 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerMUBW30-12A6K
Bestellnummer3930428
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationDreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
Dauer-Kollektorstrom30A
DC-Kollektorstrom30A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3V
Verlustleistung130W
Verlustleistung Pd130W
Sperrschichttemperatur Tj, max.125°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Bauform - TransistorModule
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieNPT IGBT [Standard]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCBoric acid (14-Jun-2023)
Produktbeschreibung
(CBI 1) Converter - Brake - Inverter module suitable for use with AC motor drives with input from single or three phase grid, three phase synchronous or asynchronous motor and electric braking operation applications.
- High level of integration
- Inverter with NPT IGBTs
- Low saturation voltage
- Epitaxial free wheeling diodes with hiperfast and soft reverse recovery
- Industry standard package with insulated copper base plate and soldering pins for PCB mounting
- Temperature sense included
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
DC-Kollektorstrom
30A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3V
Verlustleistung Pd
130W
Betriebstemperatur, max.
125°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
Boric acid (14-Jun-2023)
Dauer-Kollektorstrom
30A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3V
Verlustleistung
130W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
125°C
Bauform - Transistor
Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
NPT IGBT [Standard]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Boric acid (14-Jun-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung