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IXTP32P20T
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTP32P20T
Bestellnummer3930252
ProduktpaletteProduktreihe TrenchP
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 8,420 € |
| 5+ | 7,260 € |
| 10+ | 6,090 € |
| 50+ | 4,930 € |
| 100+ | 4,740 € |
| 250+ | 4,540 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTP32P20T
Bestellnummer3930252
ProduktpaletteProduktreihe TrenchP
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.13ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteProduktreihe TrenchP
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
P-channel enhancement mode avalanche rated TrenchP™ power MOSFET suitable for use in high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Fast intrinsic diode
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
32A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.13ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Produktreihe TrenchP
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung