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IXTP32P05T
MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTP32P05T
Bestellnummer3771269
ProduktpaletteTrenchP Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,020 € |
| 25+ | 2,280 € |
| 100+ | 1,530 € |
| 250+ | 1,380 € |
| 500+ | 1,250 € |
| 1000+ | 1,150 € |
| 2500+ | 1,080 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTP32P05T
Bestellnummer3771269
ProduktpaletteTrenchP Series
Technisches Datenblatt
KanaltypP Channel
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageThrough Hole
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchP Series
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
P Channel
Dauer-Drainstrom Id
32A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Transistormontage
Through Hole
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchP Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002758