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IXTH68P20T
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTH68P20T
Bestellnummer4060237
ProduktpaletteTrenchP Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 16,610 € |
| 5+ | 13,750 € |
| 10+ | 10,890 € |
| 50+ | 10,810 € |
| 100+ | 10,730 € |
| 250+ | 10,650 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
16,61 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXTH68P20T
Bestellnummer4060237
ProduktpaletteTrenchP Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.055ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung568W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchP Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
68A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
568W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.055ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchP Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.013608
Produktnachverfolgung