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IXFN210N20P
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 42,260 € |
| 5+ | 37,030 € |
| 10+ | 31,800 € |
| 50+ | 30,000 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN210N20P
Bestellnummer3930242
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id188A
Drain-Source-Spannung Vds200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00105ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung Pd1.07kW
Verlustleistung1.07kW
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
188A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
1.07kW
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.00105ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung
1.07kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung