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IXFH78N60X3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 78 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFH78N60X3
Bestellnummer3996603
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 13,860 € |
| 5+ | 11,180 € |
| 10+ | 8,500 € |
| 50+ | 8,130 € |
| 100+ | 7,750 € |
| 250+ | 7,380 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
13,86 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFH78N60X3
Bestellnummer3996603
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id78A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.038ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung780W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHiPerFET Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
78A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
780W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.038ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001