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IXYH40N65C3H1
IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXYH40N65C3H1
Bestellnummer2470019
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 40 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 8,430 € |
| 5+ | 7,380 € |
| 10+ | 6,110 € |
| 50+ | 5,480 € |
| 100+ | 5,440 € |
| 250+ | 5,390 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
8,43 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXYH40N65C3H1
Bestellnummer2470019
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.35V
Verlustleistung300W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
40A
Verlustleistung
300W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.35V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IXYH40N65C3H1
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006