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HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFP12N50P
Bestellnummer2674763
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 4,050 € |
10+ | 2,270 € |
100+ | 2,070 € |
500+ | 1,830 € |
1000+ | 1,780 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
4,05 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFP12N50P
Bestellnummer2674763
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.5ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.5V
Verlustleistung200W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiPerFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.5ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IXFP12N50P
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.226796
Produktnachverfolgung