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IXFN48N60P
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN48N60P
Bestellnummer2674761
ProduktpalettePolarHV HiPerFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 24,820 € |
| 5+ | 22,340 € |
| 10+ | 16,900 € |
| 50+ | 16,310 € |
| 100+ | 15,720 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
24,82 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN48N60P
Bestellnummer2674761
ProduktpalettePolarHV HiPerFET
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Spannung Vds600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.5V
Verlustleistung625W
Verlustleistung Pd625W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolarHV HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
625W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.14ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.5V
Verlustleistung Pd
625W
Produktpalette
PolarHV HiPerFET
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03