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IXFN24N100
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN24N100
Bestellnummer4905568
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 47,590 € |
| 5+ | 41,930 € |
| 10+ | 36,220 € |
| 50+ | 34,810 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN24N100
Bestellnummer4905568
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id24A
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.39ohm
Bauform - TransistorISOTOP
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModul
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.5V
Verlustleistung600W
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins3Pin(s)
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN24N100 handelt es sich um einen HiPerFET™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit Avalanche-fähiger und schneller intrinsischer Diode.
- Gehäuse entspricht internationalem Standard
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Flammfest gemäß UL94V-0
- HDMOS™-Verfahren mit niedrigem RDS(ON)
- Robuste Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur
- Niedrige Gehäuseinduktivität
- Einfache Montage
- Platzeinsparungen
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
Power-Management, Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Bauform - Transistor
ISOTOP
Transistormontage
Modul
Verlustleistung
600W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Dauer-Drainstrom Id
24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.39ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.04
Produktnachverfolgung