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IXFK44N50P
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFK44N50P
Bestellnummer3438385
ProduktpalettePolar HiperFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 11,660 € |
| 5+ | 9,640 € |
| 10+ | 7,620 € |
| 50+ | 7,490 € |
| 100+ | 7,360 € |
| 250+ | 7,230 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
11,66 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFK44N50P
Bestellnummer3438385
ProduktpalettePolar HiperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorTO-264
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung658W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiperFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
44A
Bauform - Transistor
TO-264
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
658W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung