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HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFH10N100P
Bestellnummer3438374
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 7,360 € |
5+ | 5,960 € |
10+ | 4,560 € |
50+ | 4,380 € |
100+ | 4,190 € |
250+ | 4,010 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
7,36 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFH10N100P
Bestellnummer3438374
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.4ohm
Bauform - TransistorTO-247AD
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6.5V
Verlustleistung380W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiPerFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10A
Bauform - Transistor
TO-247AD
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
380W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.4ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung