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IS66WV51216EBLL-70BLI
SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
HerstellerteilenummerIS66WV51216EBLL-70BLI
Bestellnummer2901209
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 12 Woche(n)
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 480+ | 2,360 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 480
Mehrere: 480
1.132,80 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
HerstellerteilenummerIS66WV51216EBLL-70BLI
Bestellnummer2901209
Technisches Datenblatt
SRAMPseudo-SRAM
Speicherdichte8Mbit
Speicherkonfiguration512K x 16 Bit
IC-Gehäuse / BauformMini-BGA
Anzahl der Pins48Pin(s)
Versorgungsspannung, min.2.5V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.-
Taktfrequenz, max.-
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Technische Spezifikationen
SRAM
Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration
512K x 16 Bit
Anzahl der Pins
48Pin(s)
Versorgungsspannung, max.
3.6V
Taktfrequenz, max.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Speicherdichte
8Mbit
IC-Gehäuse / Bauform
Mini-BGA
Versorgungsspannung, min.
2.5V
Versorgungsspannung, nom.
-
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001417