Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerS78HL512TC0BHB003
Bestellnummer4125864RL
Auch bekannt alsSP005728089, S78HL512TC0BHB003
Technisches Datenblatt
1.966 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 15,280 € |
10+ | 14,170 € |
25+ | 13,720 € |
50+ | 12,310 € |
100+ | 12,010 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
20,28 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerS78HL512TC0BHB003
Bestellnummer4125864RL
Auch bekannt alsSP005728089, S78HL512TC0BHB003
Technisches Datenblatt
Flash-Speicher-
Speicherdichte512Mbit
Speichergröße512Mbit
Speicherkonfiguration-
Speicherkonfiguration Flash-
SchnittstellenHyperBus
IC-SchnittstelleHyperBus
Bauform - SpeicherbausteinFBGA
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins24Pin(s)
Taktfrequenz166MHz
Taktfrequenz, max.166MHz
Zugriffszeit-
Versorgungsspannung, min.2.7V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.-
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.105°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- SEMPER™ Flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 3.0V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 166MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
Technische Spezifikationen
Flash-Speicher
-
Speichergröße
512Mbit
Speicherkonfiguration Flash
-
IC-Schnittstelle
HyperBus
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Taktfrequenz
166MHz
Zugriffszeit
-
Versorgungsspannung, max.
3.6V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
105°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Speicherdichte
512Mbit
Speicherkonfiguration
-
Schnittstellen
HyperBus
Bauform - Speicherbaustein
FBGA
Anzahl der Pins
24Pin(s)
Taktfrequenz, max.
166MHz
Versorgungsspannung, min.
2.7V
Versorgungsspannung, nom.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001553
Produktnachverfolgung