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ISP26DP06NMSATMA1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISP26DP06NMSATMA1
Bestellnummer4149692RL
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsSP004987242
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,238 € |
| 500+ | 0,190 € |
| 1500+ | 0,184 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISP26DP06NMSATMA1
Bestellnummer4149692RL
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsSP004987242
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id1.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.26ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.-4V
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.9A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.26ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
-4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001