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ISC012N04LM6ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,090 € |
| 500+ | 0,842 € |
| 1000+ | 0,751 € |
| 5000+ | 0,740 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISC012N04LM6ATMA1
Bestellnummer3779676RL
ProduktpaletteOptiMOS 6
Auch bekannt alsSP005559102, ISC012N04LM6
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id238A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.001ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 6
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
238A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.001ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 6
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000336
Produktnachverfolgung