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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLZ34NSTRLPBF
Bestellnummer3155167RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001573060
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.035ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.035ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung68W
Verlustleistung Pd68W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.035ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
68W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
30A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.035ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Verlustleistung Pd
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung