IRLR3410TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,482 € |
| 500+ | 0,412 € |
| 1000+ | 0,378 € |
| 5000+ | 0,319 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IRLR3410TRPBF ist ein einfacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie der fünften Generation und verwendet fortschrittliche Verfahrenstechniken, um einen niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein für eine Vielzahl von Anwendungen, der für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren bestimmt ist.
- Logikpegel-Gate-Treiber
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
17A
TO-252AA
10V
79W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.105ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRLR3410TRPBF
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat