IRLL024NTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,392 € |
| 500+ | 0,305 € |
| 1000+ | 0,276 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRLL024NTRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Logikpegel
Anwendungen
Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
3.1A
SOT-223
10V
1W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.065ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat