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IRLHS6242TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,310 € |
| 250+ | 0,160 € |
| 1000+ | 0,157 € |
| 2000+ | 0,154 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLHS6242TRPBF
Bestellnummer2580037RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001573008
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0117ohm
Bauform - TransistorDFN2020
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.800mV
Verlustleistung9.6W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 2 - 1 Jahr
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
22A
Bauform - Transistor
DFN2020
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
9.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0117ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
800mV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 2 - 1 Jahr
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRLHS6242TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung