IRFR5505TRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,060 € |
| 10+ | 0,828 € |
| 100+ | 0,584 € |
| 500+ | 0,483 € |
| 1000+ | 0,424 € |
| 5000+ | 0,385 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR5505TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Hohe Schaltfrequenz
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Halogenfrei
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
p-Kanal
18A
TO-252AA
10V
57W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.11ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat