IRFR5410TRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,702 € |
| 500+ | 0,566 € |
| 1000+ | 0,520 € |
| 5000+ | 0,446 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR5410TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
p-Kanal
13A
TO-252AA
10V
66W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.205ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFR5410TRPBF
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat