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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFR5410TRLPBF
Bestellnummer2781133RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001578112
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.205ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung66W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IRFR5410TRLPBF
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
- Single -100v P-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Dynamic dv/dt rating
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
66W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.205ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung