IRFR024NTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,695 € |
| 10+ | 0,517 € |
| 100+ | 0,398 € |
| 500+ | 0,349 € |
| 1000+ | 0,304 € |
| 5000+ | 0,250 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR024NTRPBF handelt es sich um einen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von 1.5W möglich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
17A
TO-252AA
10V
45W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.075ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFR024NTRPBF
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat