IRFL4310TRPBF

Beim Modell IRFL4310TRPBF handelt es sich um einen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. Das einzigartige Gehäusedesign ermöglicht eine einfache automatische Bestückung, wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, bietet jedoch zudem ein besseres Wärmeverhalten aufgrund der größeren Lasche für die Kühlung. In typischen SMD-Anwendungen ist eine Verlustleistung von 1W möglich.

• Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
• Einfache Parallelschaltung
• Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
• Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand

Anwendungen

Fahrzeugelektronik, Power-Management

Hinweise

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