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IRFH5301TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00155 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,576 € |
| 500+ | 0,477 € |
| 1000+ | 0,435 € |
| 5000+ | 0,400 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFH5301TRPBF
Bestellnummer2580009RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001556462
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00155ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung110W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
110W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00155ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFH5301TRPBF
4 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005443
Produktnachverfolgung