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IRFH5250DTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0014 ohm, QFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFH5250DTRPBF
Bestellnummer2781124RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001577928
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,801 € |
| 1000+ | 0,785 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFH5250DTRPBF
Bestellnummer2781124RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001577928
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0014ohm
Bauform - TransistorQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung156W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IRFH5250DTRPBF
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
IRFH5250DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET. Applications include synchronous MOSFET for high frequency buck converters.
- Low RDSon (<lt/>1.4mohm), lower conduction losses
- Schottky intrinsic diode with low forward voltage, lower switching losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>0.8°C/W), enable better thermal dissipation
- 100%Rg tested, increased reliability
- Low profile (<lt/>0.9mm), increased power density
- Industry-standard pinout, multi-vendor compatibility
- Compatible with existing surface mount techniques, easier manufacturing
- Environmentally friendlier, increased reliability
- 25V minimum drain-to-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1.0mA, TJ = 25°C)
- BF PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
QFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
156W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0014ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000025
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