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IRF7759L2TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0023 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7759L2TRPBF
Bestellnummer2579994RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001563710
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id160A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0023ohm
Bauform - TransistorDirectFET L8
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins15Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Alternativen für IRF7759L2TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
160A
Bauform - Transistor
DirectFET L8
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0023ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
15Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001