IRF7424TRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,578 € |
| 500+ | 0,480 € |
| 1000+ | 0,436 € |
| 5000+ | 0,372 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF7424TRPBF handelt es sich um einen einfachen p-Kanal-HEXFET®-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. So entsteht ein äußerst zuverlässiger Baustein für die Verwendung in Batterie- und Last-Management-Anwendungen. Das Gehäuse wurde modifiziert durch einen benutzerdefinierten Leiterrahmen für ein verbessertes Wärmeverhalten und Multiple-Die-Funktionalität, wodurch sich der Baustein hervorragend in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung verwendet werden mit deutlich weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte. Das Gehäuse eignet sich für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren.
- Pinbelegung gemäß Industriestandard
Anwendungen
Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
p-Kanal
11A
SOIC
10V
2.5W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
30V
0.0135ohm
Oberflächenmontage
2.5V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRF7424TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat