IRF7404TRPBF

Beim Modell IRF7404TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse wurde modifiziert durch einen benutzerdefinierten Leiterrahmen für ein verbessertes Wärmeverhalten und Dual-Die-Funktionalität, wodurch sich der Baustein hervorragend in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung verwendet werden mit deutlich weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte. Das Gehäuse eignet sich für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. Es ist eine Verlustleistung von über 0.8W in typischen Leiterplattenmontage-Anwendungen möglich.

• Technologie der Generation V
• Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
• Hohe Schaltfrequenz
• Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
• Vollständig Avalanche-fähig

Anwendungen

Power-Management

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab