Seite drucken
4.295 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,150 € |
500+ | 0,903 € |
1000+ | 0,827 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
120,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF6613TRPBF
Bestellnummer2579976RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001526876
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0026ohm
Bauform - TransistorDirectFET MT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.25V
Verlustleistung89W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MT package. The device is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Application specific MOSFETs
- Ideal for CPU Core DC-DC converters
- Low conduction losses
- High Cdv/dt immunity
- Dual-side cooling capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard qualification level
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
DirectFET MT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
89W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0026ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.25V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung