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IRF640NPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF640NPBF
Bestellnummer8648379
Auch bekannt alsSP001570078
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,410 € |
| 10+ | 1,280 € |
| 100+ | 0,654 € |
| 500+ | 0,548 € |
| 1000+ | 0,497 € |
| 5000+ | 0,427 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF640NPBF
Bestellnummer8648379
Auch bekannt alsSP001570078
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.15ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRF640NPBF ist ein einfacher n-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 200V in TO-220AB-Bauform. Dieser MOSFET verfügt über einen äußerst niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche, eine dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt), ein robustes Design sowie eine schnelle Schaltfrequenz und ist daher vollständig Avalanche-fähig. Er bietet einen äußerst hohen Wirkungsgrad sowie eine hohe Zuverlässigkeit und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
- Drain/Source-Spannung (Vds): 200V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Durchgangswiderstand (Rds(on)): 150 mOhm
- Verlustleistung (Pd): 150W bei 25°C
- Dauer-Drainstrom (Id): 18A bei Vgs = 10V und 25°C
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.15ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRF640NPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041