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IRF4905PBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF4905PBF
Bestellnummer8648190
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001571330
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,750 € |
| 10+ | 2,000 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,819 € |
| 5000+ | 0,803 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF4905PBF
Bestellnummer8648190
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001571330
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung200W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRF4905PBF ist ein einfacher p-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für -55V in TO-220AB-Bauform. Dieser MOSFET verfügt über einen äußerst niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche, eine dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt), ein robustes Design sowie eine schnelle Schaltfrequenz und ist daher vollständig Avalanche-fähig. Er bietet einen äußerst hohen Wirkungsgrad sowie eine hohe Zuverlässigkeit und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
- Drain/Source-Spannung (Vds): -55V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Betriebswiderstand Rds(on): 20 mOhm bei Vgs = -10V
- Verlustleistung (Pd): 200W bei 25°C
- Dauer-Drainstrom (Id): -74A bei Vgs = 10V und 25°C
- Sperrschichttemperatur: -55°C bis 175°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
74A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041