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IRF3805STRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 0.0026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 15 Woche(n)
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 800+ | 1,900 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 800
Mehrere: 800
1.525,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF3805STRLPBF
Bestellnummer2579975RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001564856
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id210A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0026ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
210A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0026ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung