IRF3205STRLPBF

Beim Modell IRF3205STRLPBF handelt es sich um einen einfachen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das SMD-Gehäuse nimmt Chips bis Größe HEX-4 auf und bietet das höchste Leistungsvermögen und den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand aller bestehenden SMD-Bauformen. Er ist dank niedrigem internen Anschlusswiderstand für Hochstromanwendungen geeignet und kann bei typischer SMD-Anwendung bis zu 2W abgeben.

• Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
• Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
• Vollständig Avalanche-fähig

Anwendungen

Power-Management