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IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,667 € |
| 10+ | 0,477 € |
| 100+ | 0,350 € |
| 500+ | 0,313 € |
| 1000+ | 0,269 € |
| 5000+ | 0,248 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPZ40N04S5L7R4ATMA1
Bestellnummer2839475
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsIPZ40N04S5L-7R4, SP001153436
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0061ohm
Bauform - TransistorTSDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung34W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TSDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
34W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0061ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPZ40N04S5L7R4ATMA1
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung