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IPT020N13NM6ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT020N13NM6ATMA1
Bestellnummer4486615RL
ProduktpaletteOptiMOS 6 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 3,380 € |
| 500+ | 3,250 € |
| 1000+ | 3,190 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT020N13NM6ATMA1
Bestellnummer4486615RL
ProduktpaletteOptiMOS 6 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds135V
Dauer-Drainstrom Id297A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00195ohm
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung395W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 6 Series
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
297A
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
395W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
135V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00195ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 6 Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074
Produktnachverfolgung