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IPL60R125C7AUMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPL60R125C7AUMA1
Bestellnummer2983364RL
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPL60R125C7, SP001385066
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,060 € |
| 500+ | 1,660 € |
| 1000+ | 1,610 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPL60R125C7AUMA1
Bestellnummer2983364RL
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPL60R125C7, SP001385066
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.125ohm
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung103W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS C7
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IPL60R125C7AUMA1 is a 600V CoolMOS™ C7 power transistor. It is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Potential applications includes PFC stages and PWM stages (TTF,LLC) for high power/performance SMPS example computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- 4pin kelvin source concept
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching glosses
- Optimized PCB assembly and layout solutions
- Suitable for applications such as server, telecom and solar
- PG-VSON-4 package, operating junction temperature range from -40 to 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
17A
Bauform - Transistor
VSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
103W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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