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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPG20N04S409ATMA1
Bestellnummer2839467RL
ProduktpaletteOptiMOS T2
Auch bekannt alsIPG20N04S4-09, SP000705570
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,730 € |
500+ | 1,680 € |
1000+ | 1,650 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPG20N04S409ATMA1
Bestellnummer2839467RL
ProduktpaletteOptiMOS T2
Auch bekannt alsIPG20N04S4-09, SP000705570
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0079ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung54W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS T2
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IPG20N04S409ATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
54W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0079ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS T2
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001