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IPF015N10N5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.00153 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPF015N10N5ATMA1
Bestellnummer4176143RL
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Auch bekannt alsSP005736730
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPF015N10N5ATMA1
Bestellnummer4176143RL
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Auch bekannt alsSP005736730
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id276A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00153ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für IPF015N10N5ATMA1
2 Produkte gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
276A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00153ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001