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IPDQ60R016CM8XTMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 135 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPDQ60R016CM8XTMA1
Bestellnummer4531809RL
ProduktpaletteCoolMOS CM8 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 8,960 € |
| 50+ | 8,940 € |
| 100+ | 8,010 € |
| 250+ | 7,850 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPDQ60R016CM8XTMA1
Bestellnummer4531809RL
ProduktpaletteCoolMOS CM8 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id135A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.7V
Verlustleistung625W
Anzahl der Pins22Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CM8 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
135A
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
625W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.7V
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CM8 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0063
Produktnachverfolgung