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IPD90R1K2C3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD90R1K2C3ATMA1
Bestellnummer1664030RL
Auch bekannt alsIPD90R1K2C3 , SP001117752
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD90R1K2C3ATMA1
Bestellnummer1664030RL
Auch bekannt alsIPD90R1K2C3 , SP001117752
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds900V
Dauer-Drainstrom Id5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.2ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Alternativen für IPD90R1K2C3ATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
IPD90R1K2C3 ist ein 900V-CoolMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit äußerst niedriger Gate-Ladung. Dieser Baustein wurde entwickelt für quasiresonante Flyback/Forward-Topologien und PC-Silverbox-Anwendungen.
- Niedrige Gütezahl (FOM) RON x Qg
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Niedriger spezifischer Durchgangswiderstand
- Sehr niedrige Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss)
- Bewährte CoolMOS™-Qualität
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Herausragende Leistung
- Hohe Zuverlässigkeit
- Benutzerfreundlich
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Beleuchtung, Unterhaltungselektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.1A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
900V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (4)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003