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IPD80R450P7ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD80R450P7ATMA1
Bestellnummer2750416RL
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPD80R450P7, SP001422626
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,844 € |
| 1000+ | 0,796 € |
| 5000+ | 0,683 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD80R450P7ATMA1
Bestellnummer2750416RL
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPD80R450P7, SP001422626
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.45ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung73W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS P7
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Dieser 800V-CoolMOS™ P7-Leistungstransistor wird empfohlen für hart und sanft schaltende Flyback-Topologien für LED-Beleuchtung, energiesparende Ladegeräte und Adapter, Audio, Hilfsstromversorgung und industrielle Netzteile. Zudem eignet sich dieser Baustein für PFC-Stufen in Verbraucheranwendungen und Solar.
- Beste FOM (RDS(on)*Eoss) dieser Klasse; Qg, Ciss und Coss reduziert
- Bester DPAK RDS(on) dieser Klasse
- Beste V(GS)th dieser Klasse: 3V; geringste V(GS)th-Schwankung: ± 0.5V
- ESD-Schutz durch integrierte Z-Diode
- Beste CoolMOS™-Qualität und Zuverlässigkeit dieser Klasse
- Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
- Vollständig optimiertes Portfolio
- Beste Leistung dieser Klasse, einfache Ansteuerung und Parallelschaltung
- Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, Einsparungen bei der Stückliste und niedrigere Montagekosten
- Höherer Produktionsertrag durch Reduzieren von Ausfällen aufgrund von elektrostatischer Entladung (ESD)
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
73W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.45ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung