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IPD70R600P7SAUMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD70R600P7SAUMA1
Bestellnummer2750412RL
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPD70R600P7S, SP001491636
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,288 € |
| 500+ | 0,259 € |
| 1000+ | 0,248 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD70R600P7SAUMA1
Bestellnummer2750412RL
ProduktpaletteCoolMOS P7
Auch bekannt alsIPD70R600P7S, SP001491636
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.6ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung43.1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS P7
Qualifikation-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Diese 700V-CoolMOS™ P7-Leistungstransistoren nutzen die revolutionäre CoolMOS-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Sie wurden entwickelt in Übereinstimmung mit dem Superjunction (SJ)-Prinzip und werden empfohlen für Flyback-Topologien, die z. B. in Ladegeräten, Adaptern, Beleuchtungsanwendungen usw. eingesetzt werden.
- Äußerst niedrige Verluste aufgrund einer sehr niedrigen FOM (Rds(on)*Qg und Rds(on)*Eoss)
- Hervorragendes Wärmeverhalten
- Integrierte ESD-Schutzdiode
- Niedrigere Schaltverluste (Eoss)
- Qualifiziert für Standard-Anwendungen
- Kostengünstige Technologie
- Niedrigere Temperatur
- Hohe ESD-Festigkeit
- Ermöglicht Effizienzsteigerungen bei höheren Schaltfrequenzen
- Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.5A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
43.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung