IPD60R950C6ATMA1

Beim Modell IPD60R750E6 handelt es sich um einen 600V-E6-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit CoolMOS™-Technologie, der eine einfache Steuerung des Schaltverhaltens bietet. CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, die nach dem bahnbrechenden Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS™ E6 kombiniert die Erfahrung des führenden Herstellers von SJ-MOSFET mit erstklassiger Innovation. Der Baustein bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Durch die äußerst niedrigen Schalt- und Leitungsverluste werden Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und leichter.

• Äußerst niedrige Verluste aufgrund einer sehr niedrigen Gütezahl (RDS (ON) x Qg und EOSS)
• Sehr robuste Kommutierung
• Benutzerfreundlich
• Höherer Wirkungsgrad bei geringer Last
• Herausragende Zuverlässigkeit mit bewährter CoolMOS™-Qualität kombiniert mit robuster Diode
• Bessere Leistung im Vergleich zu vorherigen CoolMOS™-Generationen
• Effizienter, kompakter, leichter
• Verbesserte Leistungsdichte
• Verbesserte Zuverlässigkeit
• Universeller Teil kann sowohl in harten Schaltanwendungen als auch in Sanftschaltanwendungen eingesetzt werden

Anwendungen

Industrie, Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, Kommunikation & Netzwerke, Fahrzeugelektronik, Beleuchtung

Hinweise

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate

Hinweise

Für eine Parallelschaltung von MOSFET wird allgemein die Verwendung von Ferritperlen an Gatter oder separaten Totem-Poles empfohlen.