IPD60R380C6ATMA1

Beim Modell IPD60R380C6 handelt es sich um einen 600V-n-Kanal-CoolMOS™-Leistungs-MOSFET, der nach dem bahnbrechenden Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelt wurde. Der C6-MOSFET bietet alle Vorteile eines SJ-MOSFET mit hoher Schaltgeschwindigkeit und zeichnet sich zudem durch eine einfache Anwendung aus. Durch die äußerst niedrigen Schalt- und Leitungsverluste werden Schaltanwendungen sogar noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Der CoolMOS™-Superjunction-Leistungs-MOSFET bietet eine deutliche Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten, wodurch eine hohe Leistungsdichte und ein hoher Wirkungsgrad für überragende Energieumwandlungssysteme gewährleistet werden.

• Einfache Steuerung des Schaltverhaltens
• Sehr robuste Kommutierung
• Höherer Wirkungsgrad bei mittlerer und geringer Last im Vergleich zu C3
• Herausragende Zuverlässigkeit mit bewährter CoolMOS™-Qualität kombiniert mit robuster Diode
• Verbesserte Leistungsdichte
• Verbesserte Zuverlässigkeit
• Verbesserter Wirkungsgrad in harten Schaltanwendungen
• Reduziert mögliches Ringing aufgrund des Leiterplattenlayouts

Anwendungen

Unterhaltungselektronik, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Alternative Energien, Beleuchtung

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab