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IPD50R500CEAUMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,553 € |
| 50+ | 0,550 € |
| 100+ | 0,428 € |
| 500+ | 0,367 € |
| 1000+ | 0,355 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD50R500CEAUMA1
Bestellnummer2766355
ProduktpaletteCoolMOS
Auch bekannt alsIPD50R500CE, SP001396792
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.45ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung13V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung57W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS
Qualifikation-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.6A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
13V
Verlustleistung
57W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.45ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung