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IPD320N20N3GATMA1

Name: Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Brand: INFINEON
SKU: 2212824
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIPD320N20N3GATMA1

Bestellnummer2212824

Auch bekannt alsIPD320N20N3 G, SP001127832

Technisches Datenblatt

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Produktspezifikationen

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIPD320N20N3GATMA1

Bestellnummer2212824

Auch bekannt alsIPD320N20N3 G, SP001127832

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds200V

Dauer-Drainstrom Id34A

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.027ohm

Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V

Verlustleistung136W

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.175°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktbeschreibung

The IPD320N20N3 G is a 200V N-channel Power MOSFET ideally suited for high-frequency switching, achieving excellent performance in applications such as synchronous rectification for AC-DC SMPS and motor control. The OptiMOS™ MOSFET is optimized for hard commutation ruggedness, achieving low Qrr and lower peak reverse recovery charges. It is performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency
Highest power density
Lowest board space consumption
Minimal device paralleling required
System cost improvement
Environmentally-friendly
Easy to design in

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Beleuchtung, Industrie, Audio, LED-Beleuchtung

Hinweise

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

34A

Bauform - Transistor

TO-252 (DPAK)

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

136W

Betriebstemperatur, max.

175°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Drain-Source-Spannung Vds

200V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.027ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Technische Dokumente (2)

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.0003

Produktnachverfolgung